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KLMAG1JETD-B041
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Samsung三星-预计交期:3日
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  • 商品品牌:Samsung三星
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品牌: SAMSUNG
型号: KLMAG1JETD-B041
批号: 20+
封装: BGA
数量: 8139
QQ: 55352011
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 库存产品核实请求 / 库存产品核实请求
湿气敏感性等级(MSL): 1(无限)
制造商标准提前期: 6 周
系列: -
包装: 散装 
零件状态: 在售
FET类型: N沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 60V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 115mA(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.59nC(4.5V)
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 50pF@25V
FET功能: -
功率耗散(最大值): 350mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7.5欧姆@500mA,10V
工作温度: -65°C~150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装(SMT)
供应商器件封装: SOT-23
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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