品牌：	SAMSUNG
型号：	KLMAG1JETD-B041
批号：	20+
封装：	BGA
数量：	8139
QQ：	55352011
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：	库存产品核实请求 / 库存产品核实请求
湿气敏感性等级（MSL）：	1（无限）
制造商标准提前期：	6 周
系列：	-
包装：	散装
零件状态：	在售
FET类型：	N沟道
技术：	MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：	60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：	115mA（Tc）
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：	2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：	0.59nC(4.5V)
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：	50pF@25V
FET功能：	-
功率耗散（最大值）：	350mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：	7.5欧姆@500mA，10V
工作温度：	-65°C~150°C（TJ）
安装类型：	表面贴装(SMT)
供应商器件封装：	SOT-23
封装/外壳：	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3